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          1. EN

            M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件

            产品特性:

            采用Trench+Fieldstop技术;

            软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低;

            低饱和压降,导通损耗小;

            关断拖尾电流小,软关断特性;

            正温度系数,适合并联;

            高的短路电流能力(6us以上);

            开关速度快,开关损耗小;

            TVj max 达175℃;

            Type VCES
            (V)
            IC nom
            (A)
            VCE (sat)
            (V)
            Ptot
            (W)
            Eoff
            (mJ)
            RthJC
            (℃/W)
            Packages PDF资料
            MM15GT120B 1200 15 1.85 230 0.9 0.65 TO-247 预览     下载
            MM40G3T120B 1200 40 1.90 405 2.8 0.37 TO-247 预览     下载
            MM25G3T120B 1200 25 1.8 306 1.8 0.49 TO-247 预览     下载

            应用领域

            变频器

            伺服驱动器

            不间断电源

            光伏逆变器

            电动汽车

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